삼성전자

1. 평택 반도체 캠퍼스 P5 FAB 1 & FAB 2

초대형 차세대 메모리 & 파운드리 FAB

주요 생산 대상 : HBM, 첨단 D램, 차세대 낸드, 파운드리 등 

위치 : 경기도 평택

면적 : 289만 ㎡ (87.5만 평) (전체 캠퍼스 기준)

투자 규모 : 120 ~ 160 조 원

공시 기간 : 2030년 전후

현황 : 현재 두 FAB을 동시에 건설하는 중이며 이는 기존 일정 대비 3-4년 단축한 속도

2. 용인 첨단 시스템 반도체 국가산업단지

세계 최대급 첨단 시스템 반도체 제조 및 생태계 거점

주요 생산 대상 : 첨단 파운드리, HBM, 첨단 D램 등 

위치 : 경기도 용인 남사읍 / 이동읍

면적 : 777만 ㎡ (235만 평)

투자 규모 : 360 조 원

공사 기간 : 2026 ~ 2040년

현황 : 2026년 현재 부지 조성 공사 시작하여 2028년 첫 FAB 착공 목표로 공사 진행 중

3. 기흥 캠퍼스 NRD-K 

차세대 반도체 연구개발 (R&D) 핵심 거점

주요 연구 대상 : 차세대 D램, V 낸드, 첨단 파운드리 등

위치 : 경기도 용인 기흥구

면적 : 10.9만 ㎡ (3.3만 평)

투자 규모 : 20 조 원

공사 기간 : 2022 ~ 2030년

현황 : 2024년 NRD-K 1라인 준공 후 2라인 기초공사 진행 중

4. 온양 캠퍼스 패키징 증설 및 신규 투자

AI 메모리 후공정 핵심 생산기지

주요 생산 대상 : AI 서버용 HBM 패키징 / 검사

위치 : 충청남도 아산시 배방읍

면적 : 14.3만 ㎡ (4.3만 평)

투자 규모 : 46 조 원

공사 기간 : 2026 ~ 2029년

현황 : 2026년 신규 공장 심의 통과 후 올해 9~10월 내 착공 예정 

5. 천안 디스플레이 공장 전환 및 신규 투자

HBM 및 첨단 반도체 패키징 생산기지

주요 생산 대상 : HBM 패키징 및 첨단 반도체 후공정

위치 : 충청남도 천안시

면적 : 28만 ㎡ (8.5만 평)

투자 규모 : 10 조 원

공사 기간 : 2024 ~ 2027 년

현황 : 일정에 맞추어 공장 전환 및 장비 증설 진행 중

6. 광주 반도체 클러스터

수도권 외 차세대 첨단 메모리 생산거점

주요 생산 대상 : 첨단 메모리 및 AI용 반도체

위치 : 전라광주특별시 군공항 부지 

면적 : 826만 ㎡ (250만 평) (산업단지 전체 면적)

투자 규모 : 400 조 원

투자 계획 기간 : 2026 ~ 2040년

현황 : 광주 군공항 일대 후보지 지정 이후 LH가 예비 사업시행자를 맡아 조사설계용역 수행 중

7. 미국 텍사스 테일러 FAB

미국 첨단 파운드리 핵심 생산기지

주요 생산 대상 : 2nm 및 차세대 첨단 시스템 반도체

위치 : 미국 텍사스주 테일러시

면적 : 500만 ㎡ (151.2만 평) 

투자 규모 : 49.6 조 원 (370억 달러) ※ 미국 정부로부터 보조금 6.9조 원 지원 확정

투자 계획 기간 : 2022 ~ 2030+년

현황 : FAB1 완공 후 시운전 및 가동 준비중이며 FAB2 착공 준비 중

8. 베트남 타이응우옌 후공정 FAB

글로벌 범용 메모리 검사 / 후공정 및 수출 거점

주요 생산 대상 : D램 / 낸드플래시 최종 검사

위치 : 베트남 타이응우옌성 옌빈 산업단지

면적 : 26.6만 ㎡ (8만 평) 

투자 규모 : 5.5 조 원

투자 계획 기간 : 2026 ~ 2030+년

현황 : 현재 1공장 건설 진행 중

9. 일본 요코하마 어드밴스드 패키지 랩 (Advanced Package Lab)

첨단 패키징 연구개발 거점 

주요 연구 대상 : HBM / GPU 첨단 패키징, 칩렛, 접합 소재 등

위치 : 일본 가나가와현 요코하마시

면적 : 0.6만 ㎡ (2천 평) 

투자 규모 : 3,500억 원 (400억 엔)  ※ 일본 정부로부터 보조금 1,900억 원 지원 확정

투자 기간 : 2024 ~ 2028년

현황 : 개소 완료 후 연구 진행 중 추후 연구소 인력 100명+ 가량으로 확대 예정

SK하이닉스

1. 용인 반도체 클러스터

세계 최대급 글로벌 AI 메모리 핵심 생산 거점

주요 생산 대상 : HBM / 첨단 D램

위치 : 경기도 용인시 처인구 원삼면

면적 : 416만 ㎡ (126만 평) 

투자 규모 : 600조 원

건설 기간 : 2023 ~ 2033+년

현황 : 첫번째 FAB Y1 공사 중 (2027년 2월 첫 클린룸 개소 목표) 

2. 청주 반도체 생산 단지 증설 (M17, P&T 7)

AI 메모리 전공정 & 후공정을 아우르는 종합 생산 거점

주요 생산 대상 : HBM용 첨단 D램, 차세대 낸드플래시, HBM 패키징 / 검사

위치 : 충청북도 청주시 흥덕구

면적 : 91만 ㎡ (27.5만 평) 

투자 규모 : 100조 원

건설 기간 : 2026 ~ 2031년

현황 : P&T 7 공사 중 및 M17 공장 설계 중

3. 광주 반도체 클러스터

수도권 외 차세대 첨단 메모리 생산거점

주요 생산 대상 : 첨단 메모리 및 AI용 반도체

위치 : 전라남도 광주광역시 군 공항 부지 

면적 : 826만 ㎡ (250만 평) (산업단지 전체 면적)

투자 규모 : 400 조 원

투자 계획 기간 : 2026 ~ 2040년

현황 : 광주 군공항 일대 후보지 지정 이후 LH가 예비 사업시행자를 맡아 조사설계용역 수행 중

4. 미국 인디애나 HBM 첨단 패키징 기지

미국 AI 메모리 후공정 / 연구개발 거점

주요 생산 대상 : 차세대 HBM 패키징 / 검사

위치 : 미국 인디애나주 웨스트라피엣

면적 : 47만 ㎡ (14.2만 평) 

투자 규모 : 5.3 조 원 (40억 달러)  ※ 미국 정부로부터 보조금 6,100억 원 지원 확정

투자 계획 기간 : 2026 ~ 2029+년

현황 : 부지 공사 및 건설 진행 중

5. 일본 미야기현 신규 메모리 FAB

일본내 신규 메모리 전공정 생산 거점

주요 생산 대상 : 메모리 반도체 (세부 품목 미확정)

위치 : (유력) 일본 미야기현 센다이 북부 핵심공업단지 

면적 : ?

투자 규모 : (예상) 18 조 원 (2조 엔)  ※ 일본 정부로부터 보조금 7~9조 원 지원 예상

투자 계획 기간 : ?

현황 : 후보지 및 사업 타당성 검토 중

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반도체에 목숨 건 삼전닉스